9月22日至23日，以“材料创新驱动、光电融合赋能”为主题的2026中关村论坛系列活动——化合物半导体光电子器件与应用北京论坛在北京经济技术开发区举办。

北京经济技术开发区正超前布局光电子前沿方向，大力支持宽禁带半导体光电全国重点实验室、北京信息光电子芯片平台等创新平台建设。据北京经济技术开发区管理委员会介绍，经济开发区将持续推动化合物半导体光电子领域创新链产业链深度融合，赋能主导产业迭代升级、培育发展未来产业。

中关村半导体照明联合创新重点实验室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在致辞中表示，化合物半导体光电子正在驱动“光电融合”革命，产业已步入技术突破与市场扩张相互驱动的关键周期。

会上，中国工程院院士、清华大学教授罗毅阐述了高速光电子芯片与人工智能的深层关系。在他看来，光电子的下一个最大机遇在人工智能，当电互连在带宽与能耗上触顶，AI算力需求以指数级速度增长，与趋于饱和的摩尔定律之间鸿沟日深，能耗与成本已成瓶颈。他提出，光电子与微电子应当携手，高带宽内存、存算一体、高速可重构光交换、硅光集成与CPO光电共封装等路线，核心是解决存、算、传三类资源的最优调度。

中山大学余思远教授提出，AI算力需求指数级增长驱动光电子集成快速发展。在chiplet混合集成、晶粒到晶圆键合、异质外延三大技术路线，他判断未来竞争将集中于12英寸平台。其团队已在12英寸硅光晶圆上实现磷化铟激光器片上激射，键合良率超90%，硅基磷化铟探测器带宽达80GHz、暗电流较锗探测器低约两个数量级。

北京大学博雅特聘教授、北京大学电子学院副院长王兴军带来了硅基光电融合集成芯片最新进展。其团队提出“通用型光电融合无线收发引擎”和“集成光纤—无线融合通信”全新架构，研制出覆盖0.5-115GHz全频段的超宽带集成光电振荡器（OEO），从根本上规避了传统电学倍频方案的噪声积累问题，实现超宽带频谱覆盖、可动态调谐的全频段通信能力。

会上，錼创科技创始人、董事长兼首席执行官李允立分享了高效Micro-LED器件在巨量转移、全彩化与集成方面的最新进展，以及Micro-LED从显示向光互连等光电融合场景延展的产业判断。西北工业大学李立教授围绕面向低轨星座的星间链路技术发展与思考作报告，结合其团队在空天通信与卫星数据传输领域的积累，研判了星间激光链路的器件需求与技术演进方向。路明科技集团总工程师、华夏芯智慧光子科技（北京）有限公司首席科学家肖志国，从稀土发光材料与半导体发光芯片的协同创新切入，介绍了“芯粉合一”两大核心技术体系，表示材料端与芯片端的深度耦合将是发光器件持续引领产业变革的关键。宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室主任、清华大学汪莱教授提出宽禁带半导体光电子的下一步是从“照明”走向“数字化光场调控”，并展望了宽禁带器件在新型显示、光通信与智能感知交叉领域的技术版图，指出感存算一体化是突破传统架构带宽与能效瓶颈的重要路径。

本次论坛设置宽禁带半导体光电子器件前沿技术、高速光电子器件与光子集成、新型光电子器件及应用、新型显示器件及应用等四个平行分论坛，近40场报告覆盖化合物半导体光电子器件的技术全谱系。

作为中关村论坛系列活动的重要组成部分，本次论坛由宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室、中国光学学会信息光电子器件技术专委会、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办，中关村半导体照明联合创新重点实验室、中关村国际会展运营管理有限公司联合承办。来自高校院所、产业链上下游企业、投资机构及产业园区的专家学者和行业代表参会，围绕化合物半导体光电子器件的前沿技术突破与规模化应用路径展开研讨。