期刊-2015-08

富士通半导体成功推出业界最小尺寸的FRAM器件

本刊记者唐涛

2015年08月05日

   富士通半导体(上海)有限公司(以下简称富士通半导体)最近火了,它的一个新创举在半导体领域掀起了轩然大波。它成功推出了拥有1 Mb内存的FRAM(铁电存储器)产品—MB85RS1MT,由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP),一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
    富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来,已将产品广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。此次采用WL-CSP封装的MB85RS1MT器件的推出,则将其应用领域延展到了智能可穿戴设备应用当中。
智能可穿戴设备是当下的市场热点,并以惊人的速度快速渗透和发展,逐渐成为了半导体领域的核心技术产品。智能可穿戴设备应用涵盖范围广阔且种类繁多,包括智能眼镜、头戴式显示器、隐蔽式助听器和智能脉搏计等,以及可记录卡路里消耗量和运算数据的活动记录器如智能手环等。
此次富士通半导体推出的MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择,除了可让终端应用产品的整体体积变小之外,更可让整个系统在写入数据时将功耗降至最低,并大幅延长了智能可穿戴设备的待机时间。
    此次富士通半导体推出的MB85RS1MT在采用WL-CSP封装后,其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33毫米,比SOP封装体积小了95%,其面积比SOP封装小了77%,其厚度仅相当于信用卡厚度的一半,可帮助客户实现更轻、薄、短、小的智能可穿戴装置。同时与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存(Flash)等相比,MB85RS1MT可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期,它的写入速度是前者的1000倍以上,而功耗仅为其1/1000~1/100000,FRAM的使用寿命更是超过EEPROM和Flash使用寿命的10000倍以上,是实时存储数据的理想选择。此外,相较于一般使用的EEPROM和闪存(Flash)等非挥发性内存,MB85RS1MT写入数据的速度也比较快,因此可在写入数据时大幅降低功耗。基于此原因,为了实时记录而需经常性写入数据的穿戴式装置在采用MB85RS1MT后,可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。
    富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。富士通半导体(上海)有限公司的主要产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器和GaN(氮化镓),它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。在技术支持方面,分布于上海、香港及新加坡的ASIC支持设计中心和分布于上海、香港及台湾的系统解决方案设计中心通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调,共同开发完整的解决方案,从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。